特許
J-GLOBAL ID：200903014508516904

トレンチ型絶縁ゲートMOS半導体装置

発明者：
吉川 功

吉川 功 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-156098
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135408
出願日： 2008年06月16日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【目的】低オン抵抗、大電流密度、アバランシェ降伏時の破壊耐量が大きく、ターンオフ時の跳ね上がり電圧を抑制するトレンチ型絶縁ゲートMOS半導体装置の提供。【構成】複数の直線状で平行な表面パターンを有するトレンチの複数のトレンチ13間に、p型ベース領12域表面とn型半導体基板11表面が前記トレンチ13の長手方向に沿って交互に繰返し表面配置され、エミッタ電極19が前記p型ベース領域12表面内の前記n型エミッタ領域16とp+型ボディ領域17の両表面に共通に導電接触する第一トレンチ間表面領域と、前記トレンチ13の長手方向に沿った表面に前記p型ベース領域12表面と前記n型半導体基板11表面とのいずれかが占有する第二トレンチ間表面領域とを備えていることを特徴とする縦型トレンチ絶縁ゲートMOS半導体装置とする。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板の一方の主表面に選択的に形成される他導電型ベース領域と、該他導電型ベース領域の表面に選択的に形成される一導電型エミッタ領域と、前記他導電型ベース領域の表面に、該ベース領域の濃度より高濃度であって前記一導電型エミッタ領域に接して形成される他導電型ボディ領域と、前記一導電型エミッタ領域表面から前記他導電型ベース領域を貫き前記一導電型半導体基板に達する深さと複数の直線状で平行な表面パターンを有するトレンチと、該トレンチ内にゲート絶縁膜を介して埋設されるゲート電極と、前記一導電型エミッタ領域と前記他導電型ボディ領域の両表面に共通に導電接触するエミッタ電極を有する縦型トレンチMOS半導体装置において、前記複数の直線状で平行な表面パターンを有するトレンチの複数のトレンチ間に、前記他導電型ベース領域表面と前記一導電型半導体基板表面が前記トレンチの長手方向に沿って交互に繰返し表面配置され、前記エミッタ電極が前記他導電型ベース領域表面内の前記一導電型エミッタ領域と前記他導電型ボディ領域の両表面に共通に導電接触する第一トレンチ間表面領域と、前記トレンチの長手方向に沿った表面に前記他導電型ベース領域表面と前記一導電型半導体基板表面とのいずれかが占有する第二トレンチ間表面領域とが含まれていることを特徴とする縦型トレンチ絶縁ゲートMOS半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (4件)：
H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 655A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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