特許
J-GLOBAL ID：200903014670668491
窒化物半導体レーザ素子およびその共振面の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032154
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232676
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【目的】 凹凸が非常に少なく、鏡面に近いような共振面を有する窒化物半導体よりなるレーザ素子と、そのレーザ素子の共振面の作製方法を提供する。【構成】 窒化物半導体の【外1】【外2】【外3】【外4】【外5】【外6】の内のいずれか一種類の面方位の劈開面が、少なくとも一方の共振面とされていることにより、鏡面に近い共振面を有している。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体の【外1】【外2】【外3】【外4】【外5】【外6】の内のいずれか一種類の面方位に沿った劈開面が、少なくとも一方の共振面とされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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