特許
J-GLOBAL ID：200903014674149170

低抵抗GaN系緩衝層

発明者：
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084613
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274376
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗のGaN系緩衝層を提供する。【解決手段】 この緩衝層2は、Gaを必須成分として含む窒化物系III-V族化合物半導体から成る少なくとも2層の薄層をヘテロ接合した層構造、例えばAlGaN 2A/GaN 2B/AlGaN 2Cになっていて、このヘテロ結合界面に形成される2次元電子ガス層を積極的に活用しているので低抵抗になっている。
請求項（抜粋）：
Gaを必須成分として含む窒化物系III-V族化合物半導体から成る少なくとも2層の薄層をヘテロ接合した層構造になっていることを特徴とする低抵抗GaN系緩衝層。
IPC (7件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/32
FI (5件)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/32 ,  H01L 29/80 H
Fターム (39件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077BE42 ,  4G077BE45 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077HA06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK08 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK01 ,  5F103LL08 ,  5F103RR05
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM