特許
J-GLOBAL ID：200903014764451798

半導体発光素子用の透光性電極

発明者：
永藤 野生夫

永藤 野生夫 について

, 
村木 典孝

村木 典孝 について

, 
三木 久幸

三木 久幸 について

, 
渡邉 宗孝

渡邉 宗孝 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-222456
公開番号（公開出願番号）：特開2006-074019
出願日： 2005年08月01日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、オーミック接触および電流の拡散が良好であって、かつボンディングパッドの接合強度が大きい透光性の電極を提供することである。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、p型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、p型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタル層よりも層の横方向(層の厚さ方向に対し直角方向)の単位長さあたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA24 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM