反射マスク、露光装置及びその清掃方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡部温 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-039990
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243292
出願日： 2002年02月18日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】ゴミ付着に基因する転写不良を防止することのできる反射マスクを提供すること。【解決手段】本発明の反射マスクは、基板1と、該基板1上に形成されたX線反射多層膜2と、その上に形成されたX線の透過率の低い物質からなり且つ所定のパタンを有する吸収体層3とを具備する。X線反射多層膜2と吸収体層3との間に光触媒材料からなる保護層4が形成されている。本発明の反射マスクによれば、酸素含有雰囲気中における光照射等によりマスク表面のコンタミを除去できる。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成されたX線反射多層膜と、該X線反射多層膜上に形成された、X線の透過率の低い物質からなり且つ所定のパタンを有する吸収体層とを具備する反射マスクであって、前記X線反射多層膜と前記吸収体層との間に形成された光触媒材料からなる保護層を、更に具備することを特徴とする反射マスク。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , G03F 7/20 503 , G03F 7/20 521

FI (5件)：

G03F 1/16 A , G03F 7/20 503 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 531 M , H01L 21/30 503 G

Fターム (13件)：

2H095BA10 , 2H095BB11 , 2H095BC11 , 2H095BC24 , 2H097AA02 , 2H097CA15 , 2H097JA02 , 2H097LA10 , 5F046GD01 , 5F046GD07 , 5F046GD10 , 5F046GD11 , 5F046GD20

引用特許：

審査官引用 (7件)

マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法および露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-093521 出願人：キヤノン株式会社
X線マスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-282181 出願人：日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
X線反射型マスク及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-127420 出願人：株式会社ニコン

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