特許
J-GLOBAL ID：200903015302100031

半導体式圧力センサおよびその製造方法

発明者：
川崎 栄嗣

川崎 栄嗣 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-174064
公開番号（公開出願番号）：特開2008-002994
出願日： 2006年06月23日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】電気信号の外部への取り出し構造の簡素化、チップ面積の増大の防止が図れるようにする。【解決手段】半導体チップ1の第2面(裏面)側に配置した台座3を貫通するような貫通電極33を設け、貫通電極33をリードピン41に電気的に接続することで、外部へセンシング部の電気信号を出力できる構成とする。これにより、半導体チップ1および台座3を細長形状とする必要がないため、構造体Aを構成するための半導体チップ1のチップ面積の増大を招かないようにできる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
表面を第1面、裏面を第2面として、前記第1面の歪ゲージ(12)が形成されていると共に、前記第2面が部分的に除去されることで、前記第1面側に圧力検出用のダイアフラム(13)が形成されてなる半導体チップ(1)と、前記半導体チップ(1)における前記第1面側に接合された台座(3)とを有して構成された構造体(A)を有し、 前記台座(3)には、該台座(3)の表裏を貫通する貫通孔(31)が形成されていると共に、該貫通孔(31)内に配置され、かつ、前記歪ゲージ(12)に電気的に接続された貫通電極(33)が備えられており、該貫通電極(33)を通じて前記歪ゲージ(12)の外部への電気的な接続が行われるように構成されていることを特徴とする半導体式圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/00 ,  H01L 29/84
FI (2件)：
G01L9/00 303M ,  H01L29/84 B
Fターム (27件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA08 ,  4M112CA13 ,  4M112DA02 ,  4M112DA10 ,  4M112DA11 ,  4M112DA14 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM