接続装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-266299
公開番号（公開出願番号）：特開2002-071720
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月12日
要約：

【要約】【課題】先端部の高さ精度及び間隔精度が優れ、電極への多数回の接触に対する耐磨耗性及び信頼性が優れており長期間良好な接触性能を維持できる接続装置をマイクロマシン技術を使用して簡便に歩留まりよく製造でき、スループットを向上させることができる製造方法を提供する。【解決手段】シリコンからなる犠牲基板上に犠牲層として厚さ400nm以上の二酸化シリコン膜を形成し、この犠牲層上において接触子12及び引き出し配線13からなる先端構造14を形成し、前記犠牲層を溶解することにより先端構造14から前記犠牲基板を効率よく分離する。

請求項（抜粋）：

検査対象と電気的に接触して電気信号を入出力するための接続装置の製造方法であって、シリコンからなる犠牲基板の表面に二酸化シリコン膜を形成する工程と、前記犠牲基板の表面に検査対象と電気的に接触し前記電気信号を入出力するための接触子を形成する工程と、前記二酸化シリコン膜上における前記接触子に接続する位置に前記電気信号を導通するための引き出し配線を形成する工程と、前記接触子及び前記引き出し配線からなる先端構造をこの先端構造を支持するための支持基板に連結する工程と、前記二酸化シリコン膜を除去することによって前記先端構造を前記犠牲基板から分離する工程と、を有することを特徴とする接続装置の製造方法。

IPC (4件)：

G01R 1/073 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1345 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01R 1/073 F , G02F 1/13 101 , G02F 1/1345 , H01L 21/66 B

Fターム (22件)：

2G011AA09 , 2G011AB06 , 2G011AB08 , 2G011AC21 , 2G011AE03 , 2G011AF07 , 2H088FA11 , 2H088HA01 , 2H088HA05 , 2H088MA20 , 2H092MA05 , 2H092MA17 , 2H092MA19 , 2H092MA57 , 2H092NA29 , 2H092NA30 , 2H092PA01 , 4M106AA02 , 4M106BA01 , 4M106BA14 , 4M106CA51 , 4M106DD03

引用特許：

審査官引用 (7件)

接続装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-026895 出願人：株式会社日立製作所
微小構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-187510 出願人：ティーディーケイ株式会社
特開平3-218664

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