特許

J-GLOBAL ID：200903015630153142

熱処理装置並びに半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-044569
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246327
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の高性能化が進むにつれ、ゲート電極がメタル化するなど、比較的耐熱温度の低い層の形成が増えてきており、低温でしかも短時間で熱処理することが望まれている。【解決手段】本発明の熱処理装置の構成は、反応管と、反応管内を高圧にする加圧手段と、反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源とを備えている。このような構成を用いた本発明の半導体装置の作製方法は、反応管内を高圧に保持し、前記反応管の外側に備えられた光源から射出された光により、前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

反応管と、前記反応管内を高圧にする加圧手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源を点灯および消灯させる手段とを有することを特徴とする熱処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/26 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (9件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/322 G ,  H01L 21/26 G ,  H01L 21/26 F ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F

Fターム (90件)：

2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA18 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104DD66 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104FF03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG20 ,  5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA09 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (14件)

• 孤立した光学ゾーンを有する改良式放射加熱源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-057654   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭56-007436
  
• 特開平2-309629
  
• 基板熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-170936   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 半導体基板の熱処理方法及び熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-081611   出願人：ソニー株式会社
• 特開平1-301865
  
• 熱処理炉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-143579   出願人：国際電気株式会社
• ランプアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-014758   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 特開昭61-251128
  
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-314151   出願人：ソニー株式会社
• 半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-358241   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-168720   出願人：新日本無線株式会社
• 改質装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-206144   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭61-129834