基板処理装置および不活性ガス濃度制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-104147
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079990
出願日： 2003年04月08日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】窒素ガス濃度を安定させて純水を供給できる基板処理装置を提供する。【解決手段】純水の窒素ガス濃度を測定する濃度計を、中空子分離膜を用いて窒素ガスの溶解および脱気が可能な濃度可変部7の前後に第1窒素濃度計6、第2窒素濃度計8としてそれぞれ配置する。目標濃度と、第1窒素濃度計6および第2窒素濃度計8の測定値との濃度差に基づいて、窒素ガス供給経路5上の第1バルブと窒素ガス脱気経路13上の第2バルブ15との開閉状態を調整することにより、濃度可変部7における溶解および脱気を制御して、純水の窒素ガス濃度を目標濃度値に保つことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理液により基板に所定の処理を行う処理部と、処理液を前記処理部へ供給するための処理液供給路と、前記処理液供給路に設けられ、不活性ガス濃度が調整されていない処理液の不活性ガス濃度を測定して第1測定濃度を得る第1測定手段と、前記処理液供給路に設けられ、前記第1測定手段により不活性ガス濃度を測定された処理液の不活性ガス濃度を変化させる濃度可変手段と、前記処理液供給路に設けられ、前記濃度可変手段により不活性ガス濃度を変化させられた処理液の不活性ガス濃度を測定して第2測定濃度を得る第2測定手段と、前記濃度可変手段により変化させられる処理液の不活性ガス濃度を所定の目標値になるように制御する制御手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L21/304 , B01D19/00 , B01F1/00 , C02F1/20 , H01L21/308

FI (9件)：

H01L21/304 648G , H01L21/304 647Z , H01L21/304 648F , H01L21/304 648K , B01D19/00 H , B01D19/00 101 , B01F1/00 A , C02F1/20 A , H01L21/308 G

Fターム (14件)：

4D011AA08 , 4D011AA16 , 4D011AD06 , 4D037AA01 , 4D037AB12 , 4D037BA23 , 4D037BB01 , 4D037BB02 , 4G035AA01 , 4G035AE02 , 5F043BB27 , 5F043DD30 , 5F043EE29 , 5F043EE31

引用特許：

審査官引用 (6件)

液中微粒子測定システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-037049 出願人：株式会社堀場製作所
超小型電子回路基板の改良された洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-015406 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-024659 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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