電子装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076615
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258205
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】リードフレームに電子素子を搭載したものをモールド樹脂により封止し、インナーリードと電子素子とを導電性接合部材やボンディングワイヤにて接合するとともに、アウターリードを外部の配線部材に溶接するようにした電子装置において、樹脂密着性、ワイヤボンディング性および導電性接合部材の接続信頼性を確保する。【解決手段】前記リードフレーム20は、Cu系金属材料を母材20aとして母材20aの表面に順次、Ni-Pメッキ膜20b、母材20a表面よりも粗化された粗化Niメッキ膜20cが形成されたものであり、リードフレーム20の表面は、比表面積が1.2〜1.8かつ表面粗さRaが50nm〜150nmである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

リードフレーム(20)と、前記リードフレーム(20)のインナーリード(21)に、はんだもしくは導電性接着剤よりなる導電性接合部材(30、31)を介して接合された電子素子(10〜12)と、前記インナーリード(21)と前記電子素子(10〜12)とを接続するボンディングワイヤ(40、41)と、前記インナーリード(21)、前記電子素子(10〜12)および前記ボンディングワイヤ(40、41)を封止するモールド樹脂(50)とを備え、前記リードフレーム(20)のうち前記モールド樹脂(50)から突出するアウターリード(22)は、外部の配線部材(200)と直接接触した状態で接合されるものであり、前記リードフレーム(20)は、Cu系金属材料を母材(20a)として当該母材(20a)の表面に順次、Ni-Pメッキ膜(20b)、前記母材(20a)表面よりも粗化された粗化Niメッキ膜(20c)が形成されたものよりなる電子装置において、前記リードフレーム(20)の表面は、比表面積が1.2〜1.8かつ表面粗さRaが50nm〜150nmであることを特徴とする電子装置。

IPC (2件)：

H01L 23/50 , H01L 25/00

FI (2件)：

H01L23/50 D , H01L25/00 B

Fターム (9件)：

5F067AA04 , 5F067AB01 , 5F067BE04 , 5F067CB08 , 5F067CD10 , 5F067DA20 , 5F067DC11 , 5F067DC12 , 5F067EA04

引用特許：

審査官引用 (8件)

樹脂封止型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-230867 出願人：株式会社デンソー
パッケージ部品及び半導体パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-145216 出願人：新光電気工業株式会社
リードフレーム及びそのめっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-139114 出願人：株式会社三井ハイテック

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