半導体装置及びその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳瀬睦肇 , 渡部温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-193396
公開番号（公開出願番号）：特開2009-032794
出願日： 2007年07月25日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

【課題】接続孔内から無電解めっき層が剥がれて抜け落ちるのを防止できる半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層32上に形成された第1の絶縁層33,203と、前記第1の絶縁層に形成され、前記第1の絶縁層の上面から途中まで異方性エッチングにより形成された第1の接続孔203cと、前記第1の絶縁層に形成され、前記第1の接続孔に繋げられ、前記第1の接続孔下の前記第1の絶縁層が等方性エッチングにより形成され、前記半導体層上に位置する第2の接続孔203gと、前記第1の接続孔内の側面及び前記第1の絶縁層上に形成された第2の絶縁層203dと、前記第2の接続孔の底面の前記半導体層から成長され、前記第2の接続孔内及び前記第1の接続孔内に埋め込まれた無電解めっき層204aと、を具備することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層上またはメタル層上に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に形成され、前記第1の絶縁層の上面から途中まで異方性エッチングにより形成された第1の接続孔と、前記第1の絶縁層に形成され、前記第1の接続孔に繋げられ、前記第1の接続孔下の前記第1の絶縁層が等方性エッチングにより形成され、前記半導体層上または前記メタル層上に位置する第2の接続孔と、前記第1の接続孔内の側面及び前記第1の絶縁層上に形成された第2の絶縁層と、前記第2の接続孔の底面の前記半導体層または前記メタル層から成長され、前記第2の接続孔内及び前記第1の接続孔内に埋め込まれた無電解めっき層と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L21/90 C , H01L21/90 A , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J

Fターム (172件)：

5F033GG00 , 5F033GG01 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH36 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ15 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033LL04 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN15 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ18 , 5F033QQ19 , 5F033QQ22 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ31 , 5F033QQ33 , 5F033QQ58 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033SS25 , 5F033TT02 , 5F033TT03 , 5F033TT07 , 5F033VV00 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX13 , 5F110AA26 , 5F110BB04 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE36 , 5F110EE38 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF25 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110GG39 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL08 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ02 , 5F110QQ03 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ23

引用特許：

出願人引用 (1件)

選択的な無電解メッキの方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-275490 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

審査官引用 (14件)

特開平2-308552
特開平2-308552
特開平3-280449

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