特許
J-GLOBAL ID：200903015710437486
発光ダイオードの構造及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
, 白石 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-284034
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111269
出願日： 2007年10月31日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】切削線領域の表面に複数の凹部と凸部を形成した発光ダイオードの提供。【解決手段】基板を溶液内に置いて反応させ、その切削線領域の表面に化学反応層を形成し、その後、選択性エッチングにより、切削線領域の表面に複数の凹部と凸部を形成し、更にエピタキシャル成長技術を利用し、半導体層構造を該基板表面の素子領域と切削線領域に成長させる。その後、更にリソグラフィー工程を利用し、素子領域上の半導体層構造に発光ダイオード素子を形成させる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
発光ダイオードの製造方法において、
基板(10)を提供し、その表面に鈍化層(11)を成長させ、並びに該鈍化層(11)をパターン化し、該鈍化層(11)に被覆される素子領域(101)と該基板(10)表面に露出する切削線領域(102)を画定する工程、
該基板(10)を第1溶液内に置いて反応させ、該切削線領域(102)の露出した基板(10)表面に高密度の化学反応層(103)を形成する工程、
その後、該鈍化層(11)と該化学反応層(103)をマスクとし、該基板(10)の切削線領域(102)に対して選択性エッチングを行い、該切削線領域(102)において該化学反応層(103)のない部分の複数の凹部(104)と上方に該化学反応層(103)を有する凸部(105)を形成する工程、
更に該基板(10)を第2溶液内に置いてエッチングし、該化学反応層(103)を除去し、該基板(10)の切削線領域(102)表面に凹部(104)と凸部(105)を具えた不規則幾何形状を形成する工程、
該鈍化層(11)を除去し、且つ該基板(10)表面をクリーニングする工程、
該基板(10)の表面の素子領域(101)と切削線領域(102)にエピタキシャル成長技術を利用して、半導体層構造(20)を成長させ、且つ該切削線領域(102)上の半導体層構造(20)の表面に、複数の半導体層凹部(204)と半導体層凸部(205)を具備させる工程、
リソグラフィー工程により、素子領域(101)上の半導体層構造(20)に発光ダイオード素子(30)を形成させる工程、
を包含したことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041AA42
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA46
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA91
, 5F041CB15
, 5F041CB36
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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発光ダイオード
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-241341
出願人：日立電線株式会社
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-023057
出願人：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-004222
出願人：松下電器産業株式会社
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