特許
J-GLOBAL ID：200903047616780176
半導体発光素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 田村 啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-023057
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192690
出願日： 2007年02月01日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】光度の高い半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体発光素子は、第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層を含む発光構造を有する半導体構造と、前記第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層にそれぞれ導通されている第1電極及び第2電極と、を備え、前記半導体構造の相互に対向する主面において、前記第1導電型半導体層側の第1の主面に第1反射領域と第2反射領域とが設けられ、前記第2導電型半導体層側の第2の主面に前記第2電極が設けられており、前記第1反射領域は、前記第2電極に対向して配置され、略一方向性の光反射面を有し、前記第2反射領域は、多方向性の光反射面を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層を含む発光構造を有する半導体構造と、
前記第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層にそれぞれ導通されている第1電極及び第2電極と、を備え、
前記半導体構造の相互に対向する主面において、前記第1導電型半導体層側の第1の主面に第1反射領域と第2反射領域とが設けられ、前記第2導電型半導体層側の第2の主面に前記第2電極が設けられており、
前記第1反射領域は、前記第2電極に対向して配置され、略一方向性の光反射面を有し、
前記第2反射領域は、多方向性の光反射面を有する半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA88
, 5F041CB15
出願人引用 (11件)
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-069277
出願人：日亜化学工業株式会社
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半導体光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-081949
出願人：豊田合成株式会社
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窒化物半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-435311
出願人：日亜化学工業株式会社
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撮影タイミング表示装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-183430
出願人：京セラ株式会社
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国際公開03/065464号パンフレット
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GaNベースの発光薄膜半導体素子
公報種別：公表公報
出願番号：特願2004-528326
出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
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国際公開03/010831号パンフレット
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-390709
出願人：松下電工株式会社
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オプトエレクトロニクス半導体チップおよびその製造方法
公報種別：公表公報
出願番号：特願2002-518539
出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
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電磁ビームを放出する半導体チップおよびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-341558
出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
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窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-256884
出願人：日亜化学工業株式会社
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審査官引用 (6件)
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