特許
J-GLOBAL ID：200903015917373860
反射型マスクブランクス、反射型マスク、ならびに反射型マスクの検査方法および製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-061765
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218445
出願日： 2008年03月11日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：
【課題】本発明は、アライメントマークを透過によって検出することが可能なEUVリソグラフィ用の反射型マスクを提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクであって、上記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、上記アライメントマークが配置されているアライメント領域では上記基板の他方の面が露出していることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の一方の面に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された吸収層と、前記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクブランクスであって、
当該反射型マスクブランクスを用いて作製される反射型マスクにてアライメントマークが配置されるアライメント領域では、前記基板上に直に前記吸収層が形成され、前記基板の他方の面が露出していることを特徴とする反射型マスクブランクス。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
, H01L21/30 522Z
2H095BA01
, 2H095BA10
, 2H095BC13
, 2H095BC16
, 2H095BE03
, 5F046EA30
, 5F046EB02
, 5F046FA04
, 5F046FA14
, 5F046GA03
, 5F046GA18
, 5F046GD10
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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