特許
J-GLOBAL ID：200903016122657999

発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
西島 和樹

西島 和樹 について

, 
瀧 哲也

瀧 哲也 について

, 
牛田 泰久

牛田 泰久 について

, 
千田 昌伸

千田 昌伸 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-315376
公開番号（公開出願番号）：特開2005-085932
出願日： 2003年09月08日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】主要な半導体層の結晶性を劣化させずに、発光ダイオードの外部量子効率(光取り出し率)を効果的に向上させること。【解決手段】p型クラッド層6の上には、Mgドープによるキャリア濃度5×1019/cm3 のp型GaNから成る膜厚約120nmのp型コンタクト層7が形成されている。このp型コンタクト層7の上面には凹凸形状が故意に形成されている。このp型コンタクト層7は、基板1の温度を870°Cに降温し、N2 を10リットル/分、NH3 を10リットル/分、TMGを100μmol /分、CP2 Mgを60μmol /分で供給して形成した。この結晶成長条件によれば、縦方向の成長速度が速くなり、表面が自然に凹凸形状に結晶成長する。このため、発光ダイオードの半導体結晶の結晶性を損なうことなく、容易に効率よく半導体層の最上層の表面に凹凸形状を形成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物系化合物半導体の結晶成長によって生成される半導体層を複数積層することにより形成される発光ダイオードの製造方法であって、 少なくともp型半導体層の一部の層Aの原料ガスを運ぶキャリアガスとして、希ガス(He,Ne,Ar,Kr,Xe,Rn)又は窒素ガス(N2 )を用いる ことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  C23C16/30 ,  H01L21/205
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  C23C16/30 ,  H01L21/205
Fターム (30件)：
4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM