特許
J-GLOBAL ID：200903016653705904

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者：
矢野 敏彦

矢野 敏彦 について

, 
村上 太佳之

村上 太佳之 について

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小嵐 輝央

小嵐 輝央 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-004669
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221190
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】TiN-CVD成膜装置の、ウエハが設置される下部電極の側壁部分に付着した膜剥がれを防止し、膜剥がれにより発生するパーティクルを抑制して、半導体デバイスの歩留まり低下を防止する。【解決手段】下部電極上にウエハを設置して所定の温度の加熱し、有機金属材料ガスからTiN膜を堆積する。この膜はCを含み下部電極側壁にも付着する。膜からCを除去するためにN2/H2プラズマ処理をするが下部電極はウエハより小さいので電極側壁の膜のプラズマ処理がなされない。そこで、膜形成後のウエハを除去した後、ウエハが無い状態でN2/H2プラズマ処理を施す(ステップS7)。このステップで下部電極側壁に付着した膜がプラズマ処理されて密着性が増し、膜剥がれを防止できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
減圧可能なチャンバー内に設けられた基板支持部に基板を設置する工程と、 炭素を含む金属材料ガスから化学的気相成長法を用いて前記基板に金属を一成分とする膜を堆積する工程と、 水素を含むガスプラズマで前記金属を一成分とする膜を処理する工程と、 前記基板を前記基板支持部から前記チャンバーの外部へ取り出した後、前記水素を含むガスプラズマで前記チャンバー内部を処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56
FI (5件)：
H01L21/285 C ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 J ,  C23C16/56
Fターム (23件)：
4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030HA03 ,  4K030KA26 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (8件)
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