特許
J-GLOBAL ID：200903016827020426

窒化物系半導体発光素子およびその形成方法

発明者：
山口 勤

山口 勤 について

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太田 潔

太田 潔 について

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野村 康彦

野村 康彦 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-268871
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179301
出願日： 2002年09月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】低コンタクト性を損なうことなく、電極層全体の窒化物系半導体層に対する付着力を強くすることによって、低動作電圧で、かつ、信頼性の高い窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 この窒化物系半導体発光素子は、MQW発光層6上に形成されたp型GaNコンタクト層8と、p型GaNコンタクト層8上に部分的に形成された電極層とを備え、電極層は、p型GaNコンタクト層8に対する付着力の強いPtからなるPt電極層9と、Pt電極層9上に、p型GaNコンタクト層8の表面と接触する部分を有するように形成され、Pt電極層9よりもp型GaNコンタクト層8に対する付着力が弱いとともに、電極層のp型GaNコンタクト層8に対するコンタクト抵抗を低下させるPd系電極層10とを備えている。
請求項（抜粋）：
活性層上に形成された窒化物系半導体層と、前記窒化物系半導体層上に部分的に形成された電極層とを備え、前記電極層は、前記窒化物系半導体層に対する付着力の強い材料を含む第1電極層と、前記第1電極層上に、前記窒化物系半導体層の表面と接触する部分を有するように形成され、前記第1電極層よりも前記窒化物系半導体層に対する付着力が弱いとともに、前記電極層の前記窒化物系半導体層に対するコンタクト抵抗を低下させる第2電極層とを備えた、窒化物系半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01S 5/042 612 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610
FI (4件)：
H01S 5/042 612 ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 610
Fターム (26件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F041AA24 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99 ,  5F041CB05 ,  5F073AA11 ,  5F073AA74 ,  5F073CB22 ,  5F073DA16 ,  5F073DA30 ,  5F073EA23
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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