特許
J-GLOBAL ID：200903083080553631
p型のIII族窒化物半導体層上の電極構造とその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-125121
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015852
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 p型のIII族窒化物半導体層上で安定した低抵抗と高い密着強度を有する電極構造を提供する。【解決手段】 p型のIII族窒化物半導体層上の電極構造は、その半導体層上に順次積層された第1、第2および第3の電極層(102,103,104)を含み、第1電極層(102)はTi,Hf,Zr,V,Nb,Ta,Cr,WおよびScからなる第1金属グループから選択された少なくとも1種類を含み、第2金属層(103)はNi,PdおよびCoからなる第2金属グループから選択された少なくとも1種類を含み、そして第3電極層(104)はAuを含むことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
p型のIII族窒化物半導体層上の電極構造であって、前記半導体層上に順次積層された第1、第2および第3の電極層を含み、前記第1電極層はTi、Hf、Zr、V、Nb、Ta、Cr、W、およびScからなる第1金属グループから選択された少なくとも1種類を含み、前記第2電極層はNi、Pd、およびCoからなる第2金属グループから選択された少なくとも1種類を含み、前記第3電極層はAuを含むことを特徴とする電極構造。
IPC (2件)：
H01S 5/042 610
, H01L 33/00
H01S 5/042 610
, H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
