特許
J-GLOBAL ID：200903016908873750

半導体用有機絶縁膜形成方法

発明者：
眞壁 裕明

眞壁 裕明 について

, 
村山 三素

村山 三素 について


出願人/特許権者：
住友ベークライト株式会社

住友ベークライト株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053273
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244258
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造において、エッジリンス後の膜の外観形状に優れた有機絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体素子基板上に塗布することにより半導体用有機絶縁膜を形成する方法において、エッジリンスを行う際、エッジリンス液の溶解度パラメーター値が17.0〜27.0(MPa)1/2である有機溶剤を用いることを特徴とし、且つ半導体用有機絶縁膜が、ポリアミドであることを特徴とする半導体用有機絶縁膜形成方法。
請求項（抜粋）：
半導体素子基板上に塗布することにより半導体用有機絶縁膜を形成する方法において、半導体用有機絶縁膜が、式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミドからなり、且つ、前記半導体用有機絶縁膜をエッジリンスを行う際、エッジリンス液の溶解度パラメーター値が17.0〜27.0(MPa)1/2である有機溶剤を用いることを特徴とする半導体用有機絶縁膜形成方法。【化1】(式(1)中、nは2〜1000までの整数を示し、Xは式(2)より選ばれる構造を示し、Yは2価の有機基を表す。)【化2】(式(2)中、Zは式(3)より選ばれる構造を示し、これらの構造中、ベンゼン環上の水素原子がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、フッ素原子、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも1個の基で置換されていてもよい。)【化3】
IPC (4件)：
H01L 21/312 ,  C08G 73/22 ,  G03F 7/037 ,  G03F 7/42
FI (4件)：
H01L 21/312 A ,  C08G 73/22 ,  G03F 7/037 ,  G03F 7/42
Fターム (53件)：
2H025AB16 ,  2H025CB26 ,  2H025EA10 ,  2H025FA48 ,  2H096AA25 ,  2H096CA20 ,  2H096LA03 ,  2H096LA18 ,  4J043PA01 ,  4J043PC015 ,  4J043PC145 ,  4J043QB15 ,  4J043QB21 ,  4J043QB33 ,  4J043QB34 ,  4J043RA06 ,  4J043RA25 ,  4J043SA06 ,  4J043SA71 ,  4J043SB01 ,  4J043SB02 ,  4J043TA12 ,  4J043TA26 ,  4J043TA32 ,  4J043TB01 ,  4J043TB02 ,  4J043UA121 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UA141 ,  4J043UA151 ,  4J043UA152 ,  4J043UA161 ,  4J043UB021 ,  4J043UB022 ,  4J043UB061 ,  4J043UB121 ,  4J043UB122 ,  4J043UB131 ,  4J043UB301 ,  4J043XA13 ,  4J043YA06 ,  4J043ZA12 ,  4J043ZA43 ,  4J043ZA46 ,  4J043ZB47 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (11件)
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