特許
J-GLOBAL ID：200903016937567757
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-274081
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083835
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 高いスループット並びにファインピッチ化を図ることができると共に安価であり、かつ、耐湿性が向上された、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に設けられた電極パッド2上に形成された、絶縁性を有する保護膜3の開口部3aに、無電解めっきにてNiバンプ6を形成する工程と、上記Niバンプ6と保護膜3との隙間7に残留しためっき液残留物8を除去する工程とを含んでいる。上記めっき液残留物8の除去は、過酸化水素を含む洗浄液による洗浄や、純水等の洗浄液中で超音波をかけることにより行われる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた電極パッド上に形成された絶縁性保護膜の開口部に、無電解めっきにて突起電極を形成する突起電極形成工程と、上記突起電極と絶縁性保護膜との隙間に残留しためっき液残留物を除去するめっき液残留物除去工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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