特許
J-GLOBAL ID：200903016968416234

メモリ装置およびその作製方法

発明者：
浅見 良信

浅見 良信 について

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高野 圭恵

高野 圭恵 について

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坂倉 真之

坂倉 真之 について

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野村 亮二

野村 亮二 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074366
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310799
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるTFTのソース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導電層とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の方向に延びている複数のビット線と、前記第1の方向と垂直な第2の方向に延びている複数のワード線と、メモリ素子を備えたメモリセルとを有し、 前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する導電層と有機化合物層と前記ワード線を構成する導電層との積層構造からなり、 前記ビット線を構成する導電層は、薄膜トランジスタの半導体層と接する電極であることを特徴とするメモリ装置。
IPC (9件)：
H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/10 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077
FI (8件)：
H01L27/10 449 ,  H01L29/78 613B ,  H01L27/10 481 ,  H01L21/88 R ,  H01L21/90 A ,  H01L21/88 M ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 K
Fターム (104件)：
5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA08 ,  5B035CA23 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH31 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ31 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN13 ,  5F033NN17 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033VV15 ,  5F033VV16 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX31 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA05 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083PR23 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ16
引用特許：
審査官引用 (8件)
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