特許
J-GLOBAL ID：200903017018216529

不揮発性半導体メモリ装置

発明者：
間 博顕

間 博顕 について

, 
大谷 紀雄

大谷 紀雄 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-286055
公開番号（公開出願番号）：特開2004-127346
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】消去或いは書き込みしきい値のばらつき低減を図った不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】複数個直列接続された電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルと、この直列接続されたメモリセルに直列接続された選択ゲートトランジスタとを有する不揮発性半導体メモリ装置において、選択ゲートトランジスタに隣接するメモリセルは、データ記憶には用いられないダミーセルであって、データ消去時に他のメモリセルと同じバイアス電圧が印加される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
複数個直列接続された電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルと、この直列接続されたメモリセルに直列接続された選択ゲートトランジスタとを有する不揮発性半導体メモリ装置において、 前記選択ゲートトランジスタに隣接するメモリセルは、データ記憶には用いられないダミーセルである ことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (6件)：
G11C16/04 ,  G11C16/02 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (8件)：
G11C17/00 624 ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 612Z ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 612F ,  G11C17/00 611A ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
Fターム (21件)：
5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE08 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083ER02 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083NA08 ,  5F083ZA28 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BD36 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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