特許
J-GLOBAL ID：200903017132467728

ビニルエーテル化合物、高分子化合物、フォトレジスト材料、及びパターン形成方法

発明者：
長谷川 幸士

長谷川 幸士 について

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金生 剛

金生 剛 について

, 
渡辺 武

渡辺 武 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-052915
公開番号（公開出願番号）：特開2005-239919
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【解決手段】 ベース樹脂として、繰り返し単位の20モル%以上が式(1)である樹脂を含有する波長200nm以下での露光用として用いられるフォトレジスト材料において、該樹脂を構成する繰り返し単位が更に式(2)の構造の繰り返し単位を含有する樹脂を含むことを特徴とするフォトレジスト材料。 【化1】(R1は水素原子又はメチル基、R2は、(i)酸不安定基で保護された酸性基を持つ酸素含有アルキル基及び(ii)極性基から選ばれる1種以上の置換基、R3は酸不安定基で保護された酸性基を持つ1種以上の酸素含有アルキル基である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、ミクロなバラツキが抑制された重合体を使用することにより、特に、ArFエキシマレーザーによる露光により微細パターンを形成した場合、パターンエッジラフネスの小さなパターンを形成することができるという特徴を有する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ベース樹脂として、繰り返し単位の20モル%以上が下記一般式(1)である樹脂を含有する波長200nm以下での露光用として用いられるフォトレジスト材料において、該樹脂を構成する繰り返し単位が更に下記一般式(2)の構造の繰り返し単位を含有する樹脂を含むことを特徴とするフォトレジスト材料。
IPC (4件)：
C08F220/26 ,  C08F216/14 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (4件)：
C08F220/26 ,  C08F216/14 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (38件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J100AE09Q ,  4J100AL08P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA11P ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC58P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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