特許
J-GLOBAL ID：200903017350664039

めっき膜の形成方法及び該方法によりめっき膜が形成された電子部品

発明者：
松尾 義彦

松尾 義彦 について

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池田 隆吉

池田 隆吉 について

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吉田 公彦

吉田 公彦 について

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奥田 文雄

奥田 文雄 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

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リードミック株式会社

リードミック株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-054336
公開番号（公開出願番号）：特開2003-082500
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】 鉛フリーはんだに対する濡れ性を向上させためっき膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】 電流値を可変できるカソードとアノードとを備えるめっき槽中で、所定時間、第1の電流密度にてめっき対象物にめっき膜を施した後、前記第1の電流密度よりも低い第2の電流密度で、前記めっき対象物を保持するか、あるいはめっき対象物を5〜10重量%の濃度のリン酸三ナトリウム溶液に浸漬するめっき膜の形成方法が提供される。
請求項（抜粋）：
電流値を可変できるカソードとアノードとを備えるめっき槽中で、所定時間、第1の電流密度にてめっき対象物にめっき膜を形成した後、前記第1の電流密度よりも低い第2の電流密度で、前記めっき対象物を保持することを特徴とするめっき膜の形成方法。
IPC (5件)：
C25D 21/12 ,  C25D 5/48 ,  C25D 7/00 ,  C25D 21/00 ,  H01L 23/50
FI (5件)：
C25D 21/12 J ,  C25D 5/48 ,  C25D 7/00 G ,  C25D 21/00 K ,  H01L 23/50 D
Fターム (17件)：
4K024AA21 ,  4K024AB01 ,  4K024BA01 ,  4K024BA02 ,  4K024BA09 ,  4K024BB13 ,  4K024BC10 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024CB02 ,  4K024CB08 ,  4K024FA23 ,  4K024GA16 ,  5F067AA13 ,  5F067DC06 ,  5F067DC12
引用特許：
審査官引用 (9件)
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