特許
J-GLOBAL ID：200903017402998917

プラズマ処理装置

発明者：
川上 雅敏

川上 雅敏 について

, 
西尾 良司

西尾 良司 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-014807
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182081
出願日： 2007年01月25日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生する放電不安定を抑制する。【解決手段】真空処理室1に接地された環状導体26を直流アースとして設置し、環状導体26からアースへ流れる電流を0A付近になるように電流モニタ29の値に基づき直流バイアス電源28を制御系30で制御することにより、プラズマの空間電位が上昇することによって起こる放電不安定を抑える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマと接する壁面に耐プラズマ性保護膜が形成された真空処理室を有し、該真空処理室内にプラズマを生成してウエハを処理するプラズマ処理装置において、 前記真空処理室内のプラズマと接する位置に設けられた導体部品と、 前記導体部品の電位を前記生成したプラズマ空間電位未満の電位に制御するプラズマ電位制御ユニットとを備え、 該プラズマ電位制御ユニットは前記導体部品に接続された直流電源を含む、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46 ,  H05H 1/00 ,  C23C 16/44
FI (4件)：
H01L21/302 103 ,  H05H1/46 L ,  H05H1/00 A ,  C23C16/44
Fターム (18件)：
4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030JA20 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA05 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB12 ,  5F004BB29 ,  5F004CA03 ,  5F004CA07 ,  5F004CA08 ,  5F004CB05
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (1件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-330075   出願人：アネルバ株式会社

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