特許

J-GLOBAL ID：200903017410896678

n型ダイヤモンド半導体

発明者： 難波 暁彦 ,  今井 貴浩
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 中野 稔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-030186
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303954
出願日： 2003年02月07日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 室温から高温までの広い温度範囲で、キャリア濃度や抵抗率の変化が少ないn型ダイヤモンド半導体を得る。【解決手段】 ドープ層とノンドープ層を交互に積層して構成したものであり、(a)単結晶ダイヤモンド基板100と、(b)実質的に不純物が添加されていないダイヤモンド半導体材料から成る薄いノンドープ層1101〜110n+1(nはサイクル数)と、(c)ノンドープ層1101〜110n+1に挟まれるように形成され、n型ダイヤモンド半導体となるように2種類以上の不純物が添加されたダイヤモンド半導体材料から成る非常に薄いドープ層1201〜120nとから構成される。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド半導体材料から成り、(a)実質的に不純物が添加されていない第1のノンドープ層と、(b)前記第1のノンドープ層の一方の表面に形成されたn型半導体となるように2種類以上の不純物が添加されたドープ層と、(c)前記ドープ層の表面に形成された実質的に不純物が添加されていない第2のノンドープ層と、を備えることを特徴とするn型ダイヤモンド半導体。

IPC (4件)：

H01L 29/165 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/167

FI (4件)：

H01L 29/165 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/167

Fターム (15件)：

5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F052DB03 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10 ,  5F052KA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-280622号公報
  

審査官引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238577   出願人：住友電気工業株式会社, 小林猛
• 半導体ダイヤモンド及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-214192   出願人：住友電気工業株式会社
• n型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-050106   出願人：旭化成工業株式会社
• 低抵抗n型ダイヤモンドの合成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208611   出願人：科学技術振興事業団
• ダイヤモンドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-076438   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Co-doping of diamond with Boron and Sulfur