特許
J-GLOBAL ID：200903017432887249

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
大塚 健一

大塚 健一 について

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樽井 陽一郎

樽井 陽一郎 について

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鹿間 省三

鹿間 省三 について

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渡辺 友勝

渡辺 友勝 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-231396
公開番号（公開出願番号）：特開2009-064955
出願日： 2007年09月06日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：
【課題】 製造コストの低減と、酸化膜の膜質の改善、炭化珪素半導体基板と酸化膜の界面特性の改善、並びに酸化膜間の界面特性の改善による品質の向上に寄与する炭化珪素半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 炭化珪素半導体基板へのイオン注入後の熱処理工程と、炭化珪素半導体基板の一方面上に、酸素を含むガスを用いてゲート絶縁膜6となる薄膜の第1の酸化膜を形成する工程と、酸素を含むガスと珪素を含むガスを用いて第1の酸化膜上にゲート絶縁膜6となる厚膜の第2の酸化膜を形成する工程を、一つの熱処理炉内で順次実施可能にしたことを特徴とする。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
熱処理炉内に熱処理用ガスを供給し、不純物がイオン注入された炭化珪素半導体基板に熱処理を行う工程と、 前記熱処理工程の後、前記熱処理炉内に酸素を含むガスを供給し、前記熱処理炉内で前記炭化珪素半導体基板の一方面上にゲート絶縁膜となる薄膜の第1の酸化膜を形成する工程と、 前記第1の酸化膜の形成後、前記熱処理炉内に前記酸素を含むガスと珪素を含むガスを供給し、前記熱処理炉内で前記第1の酸化膜上に前記ゲート絶縁膜となる厚膜の第2の酸化膜を形成する工程と、 を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316
FI (7件)：
H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658Z ,  H01L29/78 652T ,  H01L21/265 Z ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/316 M
Fターム (8件)：
5F058BB01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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