特許
J-GLOBAL ID：200903069617314911

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
中村 広希

中村 広希 について

, 
ラジェシュ クマール

ラジェシュ クマール について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-377758
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184714
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 不純物の活性化率の向上とSiCの表面荒れの抑制を両立させる。【解決手段】 活性化熱処理では、まず、第2のランプ機構2を用いてSiC基板3の裏面側からランプ加熱を行う。これにより、SiC基板3の表面にマイグレーションが発生する温度までSiC基板3を加熱する。続いて、第1のランプ機構1も用いてSiC基板3の表面側からのランプ加熱も行う。これにより、マイグレーションが発生する温度以上までSiC基板3が加熱される。このようにすれば、マイグレーションの起こる温度以上での熱処理時間を短時間とすることができ、マイグレーションの発生を抑制できると共に、炭化珪素基板の表面荒れを抑制できる。
請求項（抜粋）：
不純物が注入された炭化珪素基板(3)に対して活性化熱処理を施すことで、前記炭化珪素基板に不純物層を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記活性化熱処理では、少なくとも前記炭化珪素基板の表面にマイグレーションが発生する温度以上とする加熱を行う際には、光を照射することで照射対象を加熱するランプ(4)を備えたランプ機構(2)を用い、該ランプ機構による前記炭化珪素基板へのランプ照射により、前記不純物を活性化させることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265 602 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/302 P
Fターム (11件)：
5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB26 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DA29 ,  5F004DB00 ,  5F004EA34 ,  5F004EB08 ,  5F004FA02 ,  5F004FA03
引用特許：
審査官引用 (7件)
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