特許
J-GLOBAL ID：200903017807736766

レジスト除去方法

発明者：
登坂 久雄

登坂 久雄 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-202815
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024823
出願日： 2004年07月09日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】 表面変質層が形成されたレジストパターンを容易に除去する。【解決手段】 例えば、まず、窒化シリコンからなるオーバーコート膜13をその上に形成されたコンタクトホール15形成用のレジストパターン24をマスクとしてドライエッチングしてコンタクトホール15を形成すると、レジストパターン24の表面に表面変質層24aが形成される。次に、表面変質層24aを含むレジストパターン24をモノエタノールアミンを主成分とするレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合、表面変質層24aは上記レジスト剥離液に溶解しないため、表面変質層24aが残渣としてある程度残る。そこで、次に、この表面変質層残渣を水素水中でメガソニック洗浄を行なって除去する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
被加工薄膜をその上に形成されたレジストパターンをマスクとしてドライエッチングして薄膜パターンを形成したとき、前記レジストパターンの表面に表面変質層が形成され、前記表面変質層を含む前記レジストパターンをモノエタノールアミンを主成分とするレジスト剥離液を用いて処理し、次いで前記表面変質層の残渣を水素水中でメガソニック洗浄または超音波洗浄を行なって除去することを特徴とするレジスト除去方法。
IPC (7件)：
H01L 21/027 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/12 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306
FI (9件)：
H01L21/30 572B ,  B08B3/08 Z ,  B08B3/12 Z ,  G03F7/40 521 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304 642A ,  H01L21/304 642E ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/302 105A
Fターム (23件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  2H096LA03 ,  2H096LA30 ,  3B201AA03 ,  3B201AB23 ,  3B201BB02 ,  3B201BB95 ,  3B201BB98 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004DB07 ,  5F004DB30 ,  5F004EB01 ,  5F004FA08 ,  5F046MA02 ,  5F046MA07 ,  5F046MA17 ,  5F046MA18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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