レジスト用剥離液及びレジスト剥離方法、並びに薄膜回路素子の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-303675
公開番号（公開出願番号）：特開2003-107753
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：

【要約】【課題】不純物注入工程やドライエッチング工程等によって生じたレジスト膜の変質硬化部位に対しても浸透性が高く、高濃度アミン化合物と有する条件と同等以上の剥離効果を得ることを可能とする。【解決手段】 N-メチル-ピロリドン(N-メチル-2-ピロリドン)、N.N-ジメチル-アセトアミド、ジメチル-ホルムアミド、及びN.N-メチル-ホルムアミドのうちから選ばれた少なくとも1種を含む高極性溶媒と、水に対して可溶なアミン化合物とを含む組成からレジスト剥離液を構成し、使用後のレジスト膜及びその変質硬化部位を剥離除去する。

請求項（抜粋）：

N-メチル-ピロリドン(N-メチル-2-ピロリドン)、N.N-ジメチル-アセトアミド、ジメチル-ホルムアミド、及びN.N-メチル-ホルムアミドのうちから選ばれた少なくとも1種を含む高極性溶媒と、水に対して可溶なアミン化合物とを含む組成からなることを特徴とするレジスト剥離液。

IPC (2件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/42 , H01L 21/30 572 B

Fターム (5件)：

2H096AA25 , 2H096LA03 , 5F046MA02 , 5F046MA03 , 5F046MA04

引用特許：

審査官引用 (10件)

剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-096934 出願人：富士通株式会社
フォトレジスト剥離用組成物および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-191406 出願人：東レ・ファインケミカル株式会社
特開昭58-031528

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