特許
J-GLOBAL ID:200903018096694760
ウエハプロセスモニタ用の熱脱離分析室
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石島 茂男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-090487
公開番号(公開出願番号):特開平11-287743
出願日: 1998年04月03日
公開日(公表日): 1999年10月19日
要約:
【要約】【課題】【解決手段】本発明の熱脱離分析室14は、真空排気可能な真空槽15内に、ヒータ24と電極23を内蔵したホットプレート22が設けられており、真空槽15内に搬入した試料20をホットプレート20上に載置し、電極23によって静電吸着しながらヒータ24を発熱させると、試料20が昇温し、その表面の付着物質から気体が放出される。その真空槽15には、分析装置16が接続されており、真空雰囲気に含まれる気体を分析できるように構成されている。ホットプレート22によって試料20を加熱するので、大面積基板を試料として、その表面の付着物質の種類と量とを分析できる。
請求項(抜粋):
真空排気可能な真空槽と、前記真空槽内の真空雰囲気に含まれる気体を分析する分析装置とを有する熱脱離分析室であって、前記真空槽内にはヒータを内蔵したホットプレートが設けられ、該真空槽内に搬入した試料をホットプレート上に載置し、前記ヒータで前記試料を加熱し、前記試料の付着物質から気体を放出させるように構成されたことを特徴とする熱脱離分析室。
IPC (5件):
G01N 1/22
, G01N 27/62
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (5件):
G01N 1/22 R
, G01N 27/62 F
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 21/302 E
引用特許:
審査官引用 (8件)
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処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-345323
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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半導体基板の温度調節機構
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-094296
出願人:有限会社ミヤタアールアンディ
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処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-091672
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
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成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-113358
出願人:株式会社日立製作所
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基体の処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-101979
出願人:株式会社フロンテック, 大見忠弘
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質量分析方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-169073
出願人:富士通株式会社
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昇温脱離ガス分析装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-064196
出願人:電子科学株式会社
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ガス処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-338834
出願人:東京エレクトロン株式会社
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