特許
J-GLOBAL ID：200903018193293966
圧電体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 田中 克郎
, 大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-183512
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031524
出願日： 2002年06月24日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】目的とする良好な結晶性を得ることができ、かつ圧電特性の面内均一性を向上することのできる圧電体素子の製造方法を提供し、かかる均一性が向上した圧電体素子を提供する。【解決手段】有機金属化合物のゾル411”を塗布する工程(S3)と、有機金属化合物のゾルを乾燥させる工程及びこれを脱脂させる工程により有機金属化合物のゾルをゲル化させる工程(S4)と、このゲル化した有機金属化合物411’を結晶化させる工程(S5)と、を備えた圧電体層の形成工程を複数回行なって積層する(S6)。上記脱脂させる工程のうち、初回の脱脂時の昇温レートを、500°C/min以下として加熱する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極を形成する工程と、この下部電極上に圧電体膜を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極を形成する工程とを備える圧電体素子の製造方法であって、
前記圧電体膜を形成する工程は、有機金属化合物のゾルを塗布する工程と、前記有機金属化合物のゾルを乾燥させる工程及びこれを脱脂させる工程により有機金属化合物のゾルをゲル化させる工程と、このゲル化した有機金属化合物を結晶化させる工程と、を備えた圧電体層の形成工程を複数回行なって積層するものであり、
前記脱脂させる工程のうち、初回の脱脂時の昇温レートを、500°C/min以下として加熱する、圧電体素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L41/22
, B41J2/045
, B41J2/055
, B41J2/16
, H01L41/09
, H01L41/187
H01L41/22 Z
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101C
, H01L41/18 101D
, H01L41/08 U
, B41J3/04 103A
, B41J3/04 103H
2C057AF71
, 2C057AF93
, 2C057AG42
, 2C057AG47
, 2C057AP14
, 2C057AP57
