半導体装置及びその製造方法、並びに処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-271590
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033038
出願日： 2003年07月07日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】 p-SiTFT,a-SiTFT等の性能向上や安定化をさせた半導体装置とその製造方法及び処理装置を実現する。【解決手段】ガラス基板等21上の半導体層を含む全面をシアン化合物含有のアルコール系溶液又は非金属シアン化合物から選ばれるシアン化合物含有溶液22に接触させる工程と、その後、前記基板21を洗浄部24で洗浄処理する工程とを備えたことにより、表面領域に付着した金属を含む汚染物質をシアンとの化合物又はシアン化物との錯体にして除去するとともに、薄膜形成過程で生じた半導体層の未結合手等の欠陥や上記汚染物質が付着で生じた未結合手やそれらの複合体欠陥が顕著に低減して、TFT型半導体装置の性能が格段に向上する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも能動素子又は受動素子を有する半導体層を備え、前記半導体層の表面領域又は粒界等を含む境界領域にシアノ基を含有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/336 , H01L29/786

FI (2件)：

H01L29/78 627E , H01L29/78 618B

Fターム (32件)：

5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110NN12 , 5F110NN72 , 5F110QQ21

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3160205号公報

審査官引用 (6件)

シリコン光電変換素子,その製造方法及びその処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-306438 出願人：小林光, 鯉沼秀臣, 松下電器産業株式会社
特許第3160205号
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-185237 出願人：小林光, 松下電子工業株式会社

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