発光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 青木博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-288989
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103505
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】発光効率が高く、且つ、小型化が可能な発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】発光装置LE1は、積層型チップバリスタ11と、半導体発光素子1と、反射層24とを備える。積層型チップバリスタ11は、バリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極とを有するバリスタ素体21と、バリスタ素体21の外表面に形成されると共に、複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続される第1の外部電極22,23及び第2の外部電極25〜28と、を有している。半導体発光素子1は、積層型チップバリスタ11上に配され、当該積層型チップバリスタ11に並列接続されるように第2の外部電極25〜28に接続されている。反射層24は、積層型チップバリスタ11と半導体発光素子1との間に配されると共に、半導体発光素子1が発生した光を反射する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

バリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極とを有する積層体と、前記積層体の外表面に形成されると共に、前記複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続される複数の外部電極と、を有する積層型チップバリスタと、前記積層型チップバリスタ上に配され、当該積層型チップバリスタに並列接続されるように前記複数の外部電極に接続された半導体発光素子と、前記積層型チップバリスタと前記半導体発光素子との間に配されると共に、前記半導体発光素子が発生した光を反射する反射層と、を備えることを特徴とする発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA03 , 5F041AA47 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041DA20 , 5F041DA83

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-122583 出願人：サンケン電気株式会社

審査官引用 (6件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-122583 出願人：サンケン電気株式会社
積層電子部品アレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-124181 出願人：ティーディーケイ株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-207680 出願人：株式会社東芝

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