特許
J-GLOBAL ID：200903018455918830
ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-094783
公開番号（公開出願番号）：特開2008-250229
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】超微細領域での、特に、反射防止膜(BARC)を使用しないイオン注入工程においても、高解像性、現像欠陥数、疎密バイアスを満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】特定のヒドロキシスチレン系繰り返し単位及び/又は(メタ)アクリル酸系繰り返し単位を有する、酸の作用により分解しアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂(B1)、特定のヒドロキシスチレン系繰り返し単位及び/又は(メタ)アクリル酸系繰り返し単位と、特定の芳香環構造を有する繰り返し単位とを有する、酸の作用により分解しアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂(B2)、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(A)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(Ia)で表される繰り返し単位及び/又は一般式(IIa)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用により分解しアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂(B1)、一般式(Ib)で表される繰り返し単位及び/又は一般式(IIb)で表される繰り返し単位と、一般式(III)で表され、且つ芳香環構造を少なくとも2個有する繰り返し単位とを有する、酸の作用により分解しアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂(B2)、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(A)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, H01L21/30 502R
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BF15
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB55
, 2H025CB56
, 2H025FA17
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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