特許

J-GLOBAL ID：200903018489038856

素子分離形成方法

発明者： 芦沢 寅之助 ,  平井 圭三 ,  赤堀 聡彦 ,  倉田 靖 ,  大槻 裕人
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046064
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243733
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 エッチバック工程を設けなくても半導体基板に素子分離を形成することができる素子分離形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上面にストッパ膜を形成し、該ストッパ膜及び該半導体基板をパターンニングして分離溝を形成し、次いで、該ストッパ膜及び分離溝上に段差のある絶縁膜を形成し、続く第一の工程で第一の研磨剤を用いて絶縁膜の段差を0.2μm以下に平坦化し、第二の工程で第二の研磨剤またはエッチング剤を用いてストッパ膜上の絶縁膜を除去する素子分離形成方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上面にストッパ膜を形成し、該ストッパ膜及び該半導体基板をパターンニングして分離溝を形成し、次いで、該ストッパ膜及び分離溝上に段差のある絶縁膜を形成し、続く第一の工程で第一の研磨剤を用いて絶縁膜の段差を0.2μm以下に平坦化し、第二の工程で第二の研磨剤またはエッチング剤を用いてストッパ膜上の絶縁膜を除去することを特徴とする素子分離形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/762

FI (2件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/76 D

Fターム (8件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA77 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA78

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-129597   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-262830   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-340270   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-186411   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-240236   出願人：三菱電機株式会社
• ポリッシング方法、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-110576   出願人：株式会社東芝