磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：西和哉 , 志賀正武 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-005412
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203422
出願日： 2004年01月13日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】良好な結晶性を有し、優れた磁気特性を有する磁性層を備えた磁気抵抗効果素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のTMR素子30は、基板15上に順に積層された記録層31と絶縁層33と固定磁性層32とを有する磁気抵抗効果素子であり、前記記録層31が、所定の配向面を有する遷移金属酸化物層42を介して前記基板15上に形成された構造を備える。遷移金属酸化物層42の下層側にバッファ層40を設けることが好ましい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基体上に順に積層された下部磁性層と絶縁層と上部磁性層とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記下部磁性層が、所定の配向面を有する遷移金属酸化物層を介して前記基体上に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L43/08 , H01F10/20 , H01F10/32 , H01F41/30 , H01L27/105 , H01L43/10 , H01L43/12

FI (8件)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 M , H01F10/20 , H01F10/32 , H01F41/30 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L27/10 447

Fターム (13件)：

5E049AB10 , 5E049BA30 , 5E049DB04 , 5E049GC06 , 5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA14 , 5F083JA60 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (7件)

磁気抵抗効果型素子ならびにこれを用いた磁気記憶素子および磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-156018 出願人：松下電器産業株式会社
強磁性酸化物およびこれを用いた磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-168790 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗トンネル接合素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-177526 出願人：松下電器産業株式会社

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