電子デバイス用基板、電子デバイス、強誘電体メモリ、電子機器、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-044370
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002150
出願日： 2003年02月21日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】各種特性に優れた電子デバイスを最適な構造で実現することができる電子デバイス用基板、および、かかる電子デバイス用基板を備える電子デバイス、さらに、かかる電子デバイスを備える強誘電体メモリ、電子機器、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタを提供すること。【解決手段】図1に示す電子デバイス用基板100は、アモルファス層15を有する基板11と、アモルファス層15上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層12と、バッファ層12上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層13とを有している。バッファ層12は、NaCl構造の金属酸化物、蛍石型構造の金属酸化物のうちの少なくとも1種を含むものであるのが好ましく、また、立方晶(100)配向でエピタキシャル成長したものであるのが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも表面がアモルファス状態の物質で構成された基板と、前記表面上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層と、前記バッファ層上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層とを有することを特徴とする電子デバイス用基板。

IPC (5件)：

C30B29/22 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , H01L27/105

FI (4件)：

C30B29/22 Z , H01L27/10 444B , B41J3/04 103A , B41J3/04 103H

Fターム (27件)：

2C057AF65 , 2C057AF99 , 2C057AG12 , 2C057AG44 , 2C057AP51 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BC60 , 4G077DA11 , 4G077ED04 , 4G077EF02 , 4G077SA04 , 5F083GA10 , 5F083JA45 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083NA02 , 5F083PR25 , 5F083PR42 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR52 , 5F083PR53 , 5F083PR54

引用特許：

審査官引用 (10件)

酸化物の結晶成長方法、セリウム酸化物、プロメチウム酸化物、酸化物積層構造、電界効果トランジスタの製造方法、電界効果トランジスタ、強誘電体不揮発性メモリの製造方法および強誘電体不揮発性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-027362 出願人：ソニー株式会社
表面弾性波素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-002565 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜キャパシタおよびこれを用いた半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-011429 出願人：株式会社東芝

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