特許
J-GLOBAL ID：200903018786322830
物体に粗面を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-109272
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270416
出願日： 2007年04月18日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】半導体発光素子の表面に全反射阻止用粗面を容易に形成することが困難であった。【解決手段】半導体発光素子を形成するための半導体ウエーハ(1)の主面(8)上にAgから成るマスク形成用被膜(10)を形成する。このマスク形成用被膜(10)に熱処理を施して凝集を生じさせる。凝集で生じたAgから成る粒状体(11)をマスクとして半導体ウエーハ(1)をドライエッチングして半導体ウエーハ(1)の主面8上に多数の凹部(12)を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
被加工物体に粗面を形成する方法であって、
凝集する性質を有し且つ被加工物体をエッチングする時にマスクとして機能する性質を有するマスク材料を被加工物体の所望表面上に被着させることによってマスク形成用被膜を形成する工程と、
凝集させることができる温度の熱処理を前記マスク形成用被膜に施して前記マスク形成用被膜を多数の粒状体に変化させる工程と、
前記多数の粒状体をマスクとして使用して前記被加工物体の前記多数の粒状体で覆われていない領域をエッチングで除去して前記被加工物体の表面を粗面に変化させる工程と
を有していることを特徴とする物体に粗面を形成する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CB36
, 5F041DA43
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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