半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：寺田實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-240998
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059518
出願日： 2005年08月23日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】基板の加工による収率の低下を来すことがなく、また結晶成長における難しい条件制御を伴うこともなく、光の取り出し効率を向上させることにある。【解決手段】基板側から発光を取り出す構造を持つ半導体発光素子である。この素子の発光を取り出す面とは反対側にある半導体層の電極が形成されていない面に凹凸加工を施した半導体発光素子である。その製造方法は次の通り。先ず電極を形成する領域以外の半導体層の表面に金属薄膜を形成する。次いで加熱して該金属の凝集粒によるマスクを形成し、その後ドライエッチングすることにより前記電極が形成されていない半導体層の表面に凹凸部を形成することからなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板側から発光を取り出す構造を持つ半導体発光素子において、半導体層の電極が形成されていない領域の表面に凹凸部を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/306 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L33/00 C , H01L21/302 104C , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (27件)：

4M104AA04 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD71 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104GG04 , 4M104HH20 , 5F004DA04 , 5F004DB19 , 5F004EA05 , 5F004EB08 , 5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CB15 , 5F041DA03 , 5F041DA04

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-010571 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-290063 出願人：日立電線株式会社
半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-068067 出願人：三菱電線工業株式会社

審査官引用 (6件)

マスク及びその形成方法及びこれを用いたエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-223675 出願人：ソニー株式会社
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-296275 出願人：日亜化学工業株式会社
化合物半導体発光素子の低抵抗電極及びそれを用いた化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-371502 出願人：三星電子株式会社, 光州科學技術院

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