特許
J-GLOBAL ID：200903063681730165
半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-200308
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019318
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 フォトリソグラフィー法を用いることなしに、半導体発光素子の発光率の改善に役立つ凹凸状面を有する基板を容易に得ることができる基板の製造方法、及び高性能半導体発光素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 基板1の表面1A上に無機粒子2を配置し、無機粒子2をエッチングマスクとして基板1をドライエッチング処理することによって、前記基板の前記表面に前記無機粒子の形状に対応した凸部1Bを形成し、これにより表面1Aを凹凸状態に加工する。無機粒子2は、酸化物粒子、窒化物粒子、炭化物粒子、硼化物粒子、硫化物粒子、セレン化物粒子および金属粒子等、又はこれらの混合物であってもよい。基板1の凹凸状態面に屈折率の異なる3-5族窒化物半導体層を積層して発光効率に優れた半導体発光素子を製造することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に半導体を積層してなる半導体発光素子において、表面に少なくとも曲面を有する凸部が島状に形成されてなる基板を備えていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L21/302 105A
5F004AA09
, 5F004BA04
, 5F004BA14
, 5F004DB00
, 5F004DB01
, 5F004EA01
, 5F004EB08
, 5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
出願人引用 (2件)
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-081447
出願人：三菱電線工業株式会社
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-213490
出願人：日亜化学工業株式会社
審査官引用 (8件)
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