シリサイド膜の作製方法、多層膜中間構造体及び多層膜構造体

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：杉村興作 , 高見和明 , 徳永博 , 藤谷史朗 , 来間清志 , 大山健次郎 , 冨田和幸 , 阿相順一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-051790
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243923
出願日： 2004年02月26日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】シリコン基材との界面が平坦であって、構造及び組成などが均一であり、シリコン系素子の実用的な電極材料などとして使用することのできるシリサイド膜を形成する。【解決手段】所定のシリコン基材11を準備し、シリコン基材11上に、チタン介在層12及び被化合物元素含有層13を順次に形成して、多層膜中間構造体10を作製する。次いで、多層膜中間構造体10に対して熱処理を施し、シリコン基材11のシリコン元素と、被化合物元素含有層13の被化合物元素とを含むシリサイド膜23を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定のシリコン基材を準備する工程と、前記シリコン基材上に、チタン介在層を形成する工程と、前記チタン介在層上に、被化合物元素含有層を形成して、多層膜中間構造体を形成する工程と、前記多層膜中間構造体に対して熱処理を施し、前記シリコン基材のシリコン元素と、前記被化合物元素含有層の被化合物元素とを含むシリサイド膜を形成する工程と、を具えることを特徴とする、シリサイド膜の作製方法。

IPC (1件)：

H01L21/28

FI (1件)：

H01L21/28 301S

Fターム (6件)：

4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104DD02 , 4M104DD79 , 4M104DD84

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-089134 出願人：松下電子工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-250363 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-140937 出願人：松下電子工業株式会社

全件表示

前のページに戻る