マスクブランク、及びインプリント用モールドの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-251243
公開番号（公開出願番号）：特開2009-080421
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

【課題】マスクブランクを用いて高精度の微細パターンが形成されたインプリント用モールドの製造方法を提供する。【解決手段】透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、薄膜は、Crと酸素を含む材料で形成されている上層と、Taまたはその化合物を含み、且つ、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されている下層とからなる。薄膜の上層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、続いて薄膜の下層及び基板を、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理により一度にエッチング加工することによりインプリント用モールドを得る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、該マスクブランクは、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により前記薄膜及び前記基板をエッチング加工するインプリント用モールドの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、前記薄膜は、少なくとも上層と下層の積層膜よりなり、前記上層は、クロム(Cr)と酸素を含む材料で形成され、前記下層は、タンタル(Ta)またはその化合物を含み、且つ、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されていることを特徴とするマスクブランク。

IPC (5件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027 , G03F 7/20 , B29C 59/02 , B29C 33/38

FI (5件)：

G03F1/08 G , H01L21/30 502D , G03F7/20 501 , B29C59/02 B , B29C33/38

Fターム (29件)：

2H095BA12 , 2H095BB16 , 2H095BC05 , 2H095BC11 , 2H097AA20 , 4F202AF01 , 4F202AG05 , 4F202AH33 , 4F202AH73 , 4F202AJ02 , 4F202AJ09 , 4F202AR12 , 4F202CA19 , 4F202CB01 , 4F202CD23 , 4F202CD30 , 4F209AF01 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209AH73 , 4F209AJ02 , 4F209AJ08 , 4F209AJ09 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PN06 , 4F209PN09 , 4F209PQ11 , 5F046AA28

引用特許：

出願人引用 (2件)

多段リソグラフィックテンプレート
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-513847 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-263482 出願人：信越化学工業株式会社, 凸版印刷株式会社

審査官引用 (10件)

特開平4-018557
高解像フォトマスクおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-025806 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
フォトマスク及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-095087 出願人：日本電気株式会社

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