特許
J-GLOBAL ID：200903093766803435
高解像フォトマスクおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025806
公開番号（公開出願番号）：特開平11-271958
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 臨界寸法(CD)の変動を減少させて高解像度のフォトマスクを作成する方法を提供する。【解決手段】 CDの変動の減少は、電子ビーム・リソグラフィとドライまたはウェット・エッチングによりパターニング可能な、薄い導電性転写層13を使用することによって実現できる。パターンは、反応性イオン・エッチングにより下層膜12へ転写する。下層膜は、365,248および193nmで不透明または部分透明とすることができる。薄い導電層13は、例えば、薄いCr膜とし、不透明または部分透明な材料は、カーボン膜,シリサイド金属,またはシリサイド・オキシ-ナイトライド膜とすることができる。
請求項（抜粋）：
紫外線および深紫外線の波長で高解像度フォトマスクを形成する方法において、上層と下層を有する2層膜構造を、石英ブランク・プレート上に付着させる工程と、前記上層を、リソグラフィとエッチングによりパターニングする工程と、前記上層をパターン転写層として使用して、前記下層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 K
, H01L 21/30 502 P
