特許
J-GLOBAL ID：200903018982816817
ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-140783
公開番号（公開出願番号）：特開2009-288504
出願日： 2008年05月29日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：
【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、特定構造で表される構成単位(a0)と他の特定構造で表される構成単位(a1)とを有する高分子化合物(A1)を含有し、前記高分子化合物(A1)を構成する全構成単位に対し、前記構成単位(a0)の割合は、5〜50モル%であり、前記構成単位(a1)の割合は10モル%より大きく、前記構成単位(a0)および(a1)の割合の合計は90モル%以下であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)と下記一般式(a1-0-1)で表される構成単位(a1)とを有する高分子化合物(A1)を含有し、
前記高分子化合物(A1)を構成する全構成単位に対し、前記構成単位(a0)の割合は、5〜50モル%であり、前記構成単位(a1)の割合は10モル%より大きく、前記構成単位(a0)および(a1)の割合の合計は90モル%以下であることを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
IPC (4件)：
G03F 7/039
, G03F 7/004
, C08F 220/26
, H01L 21/027
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, C08F220/26
, H01L21/30 502R
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025DA02
, 2H025FA01
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100BA02P
, 4J100BA02Q
, 4J100BA03Q
, 4J100BA11P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BA28P
, 4J100BA31P
, 4J100BB00P
, 4J100BB01P
, 4J100BB01Q
, 4J100BB07P
, 4J100BB07Q
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BC02P
, 4J100BC02Q
, 4J100BC03P
, 4J100BC03Q
, 4J100BC04P
, 4J100BC04Q
, 4J100BC07Q
, 4J100BC08P
, 4J100BC08Q
, 4J100BC09P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC12P
, 4J100BC12Q
, 4J100BC15Q
, 4J100BC53Q
, 4J100BC54P
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100FA02
, 4J100FA19
, 4J100JA38
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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