特許
J-GLOBAL ID:200903019211521935
半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-288059
公開番号(公開出願番号):特開2007-201420
出願日: 2006年10月23日
公開日(公表日): 2007年08月09日
要約:
【課題】半導体発光素子が接合面へ確実に接合されている、さらに、光度低下および色調ずれを低減させて発光することのできる、高品位な半導体発光装置を実現する。【解決手段】Cu配線パターン16には前記半導体発光素子からの光を反射する反射層17が形成され、LEDチップ10の電極が接続されるCu配線パターン16上の発光素子搭載領域には、反射層17上に半導体発光素子とフラックスレスで半田付けできる材料からなる接合部20が形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
接合面上に半導体発光素子が搭載された半導体発光装置において、
前記接合面には前記半導体発光素子からの光を反射する反射層が形成され、
前記接合面上の発光素子搭載領域には、前記反射層上に前記半導体発光素子の電極とフラックスレスで半田付けできる材料からなる接合部が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L33/00 M
, H01L21/52 G
Fターム (14件):
5F041AA03
, 5F041AA33
, 5F041CB36
, 5F041DA03
, 5F041DA13
, 5F041DA32
, 5F041DA36
, 5F041DA43
, 5F041DA57
, 5F041DB09
, 5F041FF11
, 5F047BA05
, 5F047BA19
, 5F047CA08
引用特許: