オプトエレクトロニクス素子を製造する方法及びオプトエレクトロニクス素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , 杉本博司 , 星公弘 , 二宮浩康 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-249242
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085338
出願日： 2007年09月26日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】本発明の特定の実施形態の少なくとも1つの課題は、イオンアシスト適用法を含むオプトエレクトロニクス素子の製造方法を提供することである。さらに、本発明の特定の実施形態のもう1つの課題は、オプトエレクトロニクス素子を提供することである。【解決手段】前記課題は、A)少なくとも1つの活性領域を有する半導体層列を設け、該活性領域は動作中に電磁放射を放出するのに適した領域であるステップと、B)前記半導体層列の第1の表面上に、イオンアシスト適用法によって少なくとも1つの層を適用するステップとによって解決される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

オプトエレクトロニクス素子の製造方法において、 A)動作中に電磁放射を放出するのに適した少なくとも1つの活性領域(20)を有する半導体層列(10)を設けるステップと、 B)該半導体層列(10)の第1の表面(110,210)上に少なくとも1つの層(50)をイオンアシスト適用法によって適用するステップ(500,501) とを有することを特徴とする製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/028

FI (2件)：

H01L33/00 A , H01S5/028

Fターム (11件)：

5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA40 , 5F041CA77 , 5F041CB11 , 5F041CB36 , 5F173AL05 , 5F173AL13 , 5F173AL19 , 5F173AP74 , 5F173AP78

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-176033 出願人：株式会社東芝
半導体発光デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-070492 出願人：住友電気工業株式会社
光学薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-212686 出願人：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社

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