特許
J-GLOBAL ID：200903019372372883
写真工程の解像度を越えるトレンチを絶縁膜の内に形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233678
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077325
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 写真工程の解像度を越える最小線幅を有するトレンチを絶縁膜の内に形成する方法を提供する。【解決手段】 半導体トポロジーを支度する段階と、半導体トポロジーの上に絶縁膜を蒸着する段階と、絶縁膜の上に平行な第1ラインパターンを形成する段階と、第1ラインパターンの上に第1ラインパターンと交差する多数の平行な第2ラインパターンを形成して第1ラインパターンと第2ラインパターンがトレンチエッチングマスクパターンを定義するようにする段階、及びトレンチエッチングマスクパターンを使用して絶縁膜をエッチングして半導体トポロジーに至る多数のトレンチを形成する段階とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
トレンチを絶縁膜の内に形成する方法において、半導体トポロジーを支度する段階と、前記半導体トポロジーの上に絶縁膜を蒸着する段階と、前記絶縁膜の上に平行な第1ラインパターンを形成する段階と、前記第1ラインパターンの上に前記第1ラインパターンと交差する多数の平行な第2ラインパターンを形成して前記第1ラインパターンと前記第2ラインパターンがトレンチエッチングマスクパターンを定義するようにする段階、及び前記トレンチエッチングマスクパターンを使用して前記絶縁膜をエッチングして前記半導体トポロジーに至る多数のトレンチを形成する段階を含むことを特徴とする絶縁膜の内にトレンチを形成する方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
