半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-197760
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077870
出願日： 2002年07月05日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】加工機械当たりの、規定された品質の半導体ウェーハの一層高い生産率によりコスト利点をもたらすような方法を開発する。【解決手段】半導体ウェーハが、外側の駆動ピン付リング6と、内側の駆動ピン付リング5とにより回転させられたキャリヤ1内に位置している状態で、該半導体ウェーハを、互いに逆向きに回転する2つの研磨定盤7の間で、それぞれ上側の作業定盤に対して相対的な所定の軌道曲線と、下側の作業定盤に対して相対的な所定の軌道曲線とにより描くことのできる運動様式で運動させ、この場合、両軌道曲線が、中心点を巡る6つのループの形成後に、まだ開いた外観を有しており、かついかなる個所でも、内側の駆動リングの半径と少なくとも同じ大きさの曲率半径を有している。

請求項（抜粋）：

表面と裏面とを有する半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法であって、半導体ウェーハが、環状の外側の駆動リングと、環状の内側の駆動リングとにより回転させられたキャリヤ内に位置している状態で、該半導体ウェーハを、互いに逆向きに回転する2つの作業定盤の間で、それぞれ上側の作業定盤に対して相対的な所定の軌道曲線と、下側の作業定盤に対して相対的な所定の軌道曲線とにより描くことのできる運動様式で運動させる形式の方法において、両軌道曲線が、(a)中心点を巡る6つのループの形成後に、まだ開いた外観を有しており、かつ(b)いかなる個所でも、内側の駆動リングの半径と少なくとも同じ大きさの曲率半径を有していることを特徴とする、半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , B24B 37/04

FI (6件)：

H01L 21/304 621 A , H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 F , B24B 37/00 C , B24B 37/00 H , B24B 37/04 F

Fターム (9件)：

3C058AA07 , 3C058AB01 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB05 , 3C058DA02 , 3C058DA06 , 3C058DA09 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (9件)

被加工物の研磨方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-117391 出願人：河西敏雄, 土肥俊郎, 不二越機械工業株式会社
研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-317066 出願人：リバーエレテック株式会社
半導体ウェーハの研磨方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-183350 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社

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