シリコン基板上に結晶性の優れた窒化物半導体層を形成する方法および窒化物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219871
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063762
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】シリコン基板上に結晶性に優れた窒化物半導体を形成する方法を提供する。【解決手段】それぞれシリコンとバッファ層上に形成しようとするIII族窒化物半導体との中間の格子定数を有するII-III-VI族化合物半導体、I-III-VI族化合物半導体およびII-IV-V族化合物半導体、並びに窒化ガリウム系窒化物半導体の中から選ばれる少なくと2種の化合物半導体を超格子構造を構成するように積層してバッファ層を形成する。その際シリコン基板に最も近い化合物半導体層は、シリコンに最も近い格子定数を有する化合物半導体で形成し、バッファ層の内最上層の化合物半導体層は、前記III族窒化物半導体に最も近い格子定数を有する化合物半導体で形成する。ついで、前記バッファ層上に前記III族窒化物半導体層を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

それぞれシリコンとバッファ層上に形成しようとするIII族窒化物半導体との中間の格子定数を有するII-III-VI族化合物半導体、I-III-VI族化合物半導体およびII-IV-V族化合物半導体、並びに窒化ガリウム系窒化物半導体からなる群の中から選ばれる少なくと2種の化合物半導体を超格子構造を構成するように積層してバッファ層を形成する工程であって、シリコン基板に最も近い化合物半導体層は、シリコンに最も近い格子定数を有する化合物半導体で形成し、バッファ層の内最上層の化合物半導体層は、前記III族窒化物半導体に最も近い格子定数を有する化合物半導体で形成するところの工程、および前記バッファ層上に前記III族窒化物半導体層を形成する工程を包含するIII族窒化物半導体の形成方法。

IPC (5件)：

H01L33/00 , C23C16/18 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01S5/323

FI (5件)：

H01L33/00 C , C23C16/18 , C30B29/38 D , H01L21/205 , H01S5/323 610

Fターム (47件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077EF05 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TK08 , 4K030AA11 , 4K030BA35 , 4K030BA38 , 4K030BA53 , 4K030BA54 , 4K030BA55 , 4K030BA56 , 4K030BA57 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030LA12 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA08 , 5F041CA32 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F073CA02 , 5F073CB04 , 5F073CB07 , 5F073CB09 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073EA29

引用特許：

出願人引用 (3件)

窒化物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-077088 出願人：松下電子工業株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-103216 出願人：サンケン電気株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-026248 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (7件)

窒化物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-077088 出願人：松下電子工業株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-103216 出願人：サンケン電気株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-026248 出願人：日本電気株式会社

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